合肥国资是长鑫科技早期成长及长期发展的关键投资人，助力长鑫科技成为我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM IDM 公司

　　长鑫科技于2019 年9 月推出自主设计生产的8Gb DDR4 产品，实现了中国大陆DRAM 产业“从零到一”的突破。公司采取“跳代研发”的策略，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及 DDR4、LPDDR4X 到DDR5、LPDDR5/5X 等产品覆盖和迭代升级，目前公司核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。长鑫科技目前是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM IDM 公司。合肥国资为长鑫科技初期的巨额资金需求提供了保障，在企业经历亏损期时给予了坚定的战略定力。根据合肥发改委官方微信公众号文章显示，股权结构方面，发行前，长鑫科技第一大股东为清辉集电，持股比例为21.67%。清辉集电第二大合伙人（持有清辉集电48.9%）长鑫集成实控人为合肥市国资委，由合肥产投100%持股。另外，清辉集电第一大合伙人芯睿投资（持有清辉集电51.09%）股权穿透后发现，其实控人为合肥经开区国资委。此外，安徽省投（实控人为安徽省国资委）对长鑫科技直接持股7.91%。

　　DRAM 是全球半导体市场占比最高且增速最高的单一品类之一，DRAM产值受AI 驱动，DRAM 涨价趋势有望延续至2027 年

　　根据Omdia 和WSTS 数据，DRAM 是市场规模最大的存储芯片，2025年全球DRAM 市场规模为1,505 亿美元，占存储芯片市场规模的比例约为65%。根据Trend Force 最新数据预测，受Agentic AI 驱动，全球DRAM 产值2026 年上调至6187 亿美元，同比增长303%；2027 年预计达9033 亿美元，增长46%。AI 服务器CPU 与GPU 配比升至1:2（NVIDIA NVL72机架），推高DRAM 采购量及合约价；HBM 扩产挤压通用DRAM 产能，厂商议价能力增强，DRAM 涨价趋势有望持续至2027 年。

　　长鑫科技充分受益于人工智能带来的量价齐升，服务器收入占比快速提升，长鑫毛利率比肩三星电子综合毛利率

　　市场占有率方面，根据Counterpoint 的数据统计显示，长鑫科技充分受益于人工智能的增长，实现量价齐升，2026 年长鑫存储一季度DRAM销售收入达73.09 亿美元，环比增长115.1%，同比增长超过700%，巩固了其作为第四大供应商的地位，市场份额翻倍以上增长，达到8%。服务器领域，长鑫科技的产品收入和占比快速增长，2024 年和2025 年1-6 月，实现营业收入19.3 亿元和35.2 亿元，占DDR、LPDDR 产品合计收入的比例分别为8.39%和23.72%，主要受益于数据中心等基础设施建设需求持续快速增长。公司与阿里云、字节跳动、腾讯、联想等行业核心客户开展了深度合作，持续赢得客户的肯定和赞誉。毛利率方面，2025 年，得益于DRAM 产品价格大幅上涨，长鑫科技公司综合毛利率已转正并大幅提升，与三星电子综合毛利率基本相当。

　　长鑫募资投入扩产和研发，聚焦先进DRAM 产品技术升级改造

　　存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目投入75 亿元，计划于2027 年底前分批实施厂务改造、机台搬入、机台调试、机台投产等工作，于2028年上半年前完成竣工验收。其中主要投入为设备购置及安装费，投入金额46.66 亿，占比62.22%。DRAM 存储器技术升级项目投入130 亿元，计划于2026 年到2027 年底前分批实施设备搬入、设备调试等工作，于2028 年上半年前完成竣工验收。其中主要投入为设备购置及安装费，投入174 亿，占比96.67%。动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目投入90 亿元，计划于2026 年12 月前，完成引入新机台的调试，实现适配DRAM 的前瞻技术平台的工艺流程搭建工作;2027 年12 月前，完成前瞻技术平台工艺平台与工艺开发的结构搭建与验证，并进行技术平台工艺流程的优化工作;2028 年12 月前，完成前瞻技术平台工艺与架构的完善，验证并提取出器件的关键电学特性工作。其中主要投入包括研发人员费用、固定资产投资、材料与备件及其他费用、测试与服务等。

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　　风险提示

　　存储扩产进度不及预期，客户验证进度不及预期，AI 服务器发展不及预期，产品研发和技术验证不及预期，市场竞争加剧；本报告新股介绍内容不涉及证券投资研究，仅为材料梳理以供投资者方便获取信息。

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　　长鑫科技：我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM IDM 企业

　　1.1 历经十载发展风雨兼程，长鑫科技实现DRAM（包括HBM和普通DRAM）市场份额中国第一，全球第四

　　长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM 研发设计制造一体化企业。自2016 年成立以来，公司始终专注于DRAM 产品的研发、设计、生产及销售。公司于2019 年9 月推出自主设计生产的8Gb DDR4 产品，实现了中国大陆DRAM 产业“从零到一”的突破。公司采取“跳代研发”的策略，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X 到 DDR5、LPDDR5/5X 等产品覆盖和迭代升级，目前公司核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。

　　我国是全球最大的DRAM 需求市场之一，而全球前三家DRAM 厂商三星电子、 SK 海力士和美光科技长期占全球90%以上的市场份额。公司致力于持续扩充产能，不断提升全球市场份额，并为我国DRAM 市场提供稳定的供应。公司在合肥、北京两地共拥有3 座12 英寸DRAM 晶圆厂。根据Omdia 的数据，按出货量和销售额统计，公司已成为中国第一、全球第四的DRAM 厂商。市场占有率方面，根据Counterpoint 的数据统计显示，长鑫科技充分受益于人工智能的增长，实现量价齐升，2026 年长鑫存储一季度DRAM 销售收入达73.09亿美元，环比增长115.1%，同比增长超过700%，巩固了其作为第四大供应商的地位，市场份额翻倍以上增长，达到8%。

　　1.2 公司产品覆盖DDR、LPDDR 两大主流系列，提供当前市场主流的第四代、第五代产品

　　公司产品覆盖DDR、LPDDR 两大主流系列，并且各系列均能提供当前市场主流的第四代、第五代产品，包括DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X 等，产品广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场领域。公司可结合不同产品的应用特点和不同客户的需求，提供DRAM 晶圆、DRAM 芯片、DRAM模组等多元化的产品方案，其中DRAM 芯片是报告期内公司出货及销售的主要产品类型。凭借丰富的产品布局和卓越的产品性能，公司能够为客户提供全面的 DRAM 存储解决方案。

　　公司基于自身原厂DRAM 芯片生产制造的DRAM 模组包括DDR4、DDR5 系列，涵盖RDIMM、MRDIMM、UDIMM/CUDIMM、SODIMM/CSODIMM、LPCAMM等不同类型产品。其中RDIMM 和MRDIMM 主要应用于服务器领域， UDIMM/CUDIMM 主要应用于计算机工作站、台式电脑，SODIMM/CSODIMM 主要应用于笔记本电脑、一体机主机中，LPCAMM 主要应用于高性能笔记本电脑、移动工作站等。公司DDR4 模组包含8GB/16GB/32GB/64GB 等多种容量规格，速率可达3200Mbps。DDR5 模组包含8GB/16GB/32GB/64GB/96GB/128GB 等多种容量规格，速率可达8000Mbps 及以上。

　　2023 年-2025 年，公司主营业务收入分别为906 ,314.37 万元、2 ,392 ,875.14万元和6 ,127 ,537.21 万元。公司主要DRAM 产品包括DDR 系列、LPDDR 系列产品，各期主要DRAM 产品收入占主营业务收入比例分别为94.70%、96.00%和98.30%，是公司收入的主要来源。2023 年-2025 年，公司其他产品及服务销售收入占主营业务收入比例分别为5.30%、4.00%和1.70%，主要为提供技术及研发服务、晶圆代工及配套光罩销售收入等。2023 年-2025 年，公司LPDDR 系列产品销售占比较高，主要原因为LPDDR系列产品主要应用于智能手机和平板电脑等领域，公司在报告期内迅速拓展了相关领域的下游终端客户，客户对公司产品认可度较高，需求旺盛且增长迅速。2024年，LPDDR 系列产品收入占比提升，主要由于公司LPDDR5 产品于2023 年开始量产，2024 年收入迅速增长，带动LPDDR 系列产品销售占比提升。2024 年底，公司DDR5 产品量产，并于2025 年开始迅速放量，带动DDR 系列产品的收入占比提升。

　　长鑫科技核心收入主要来自移动设备领域和服务器领域。公司产品收入主要来自于移动设备领域，2022 年、2023 年、2024 年和2025 年1-6 月，各期收入占 DDR、LPDDR 产品合计收入的比例分别为71.83%、64.62%、76.77%和64.43%，主要系公司产品以LPDDR 系列为主，相较于DDR 系列产品主要应用于服务器、个人电脑等领域，LPDDR 系列产品以其低功耗的特点主要应用于手机、平板电脑等移动设备领域。服务器领域公司的产品收入和占比快速增长，2024 年和2025 年1-6 月，实现收入分别为192,676.09 万元和352,338.87 万元，占DDR、LPDDR 产品合计收入的比例分别为8.39%和23.72%，主要受益于数据中心等基础设施建设需求持续快速增长，公司把握行业发展趋势推出DDR5 等更新代际产品并快速实现客户导入。

　　1.3 2023 年-2025 年长鑫科技产品呈现销量、单价和毛利率快速上升趋势，公司主力产品与竞争对手相当

　　销量方面，2023 年-2025 年，公司产能处于持续建设状态，DRAM 产品销量快速增长，DDR 系列和LPDDR 系列的销量复合增长率分别高达107.16%和76.93%，均呈现快速上升趋势。单价方面，DRAM 行业在2023 年上半年深度下行，随着行业逐步回暖及公司产品结构优化，2024 年公司产品均价整体回升。2025 年，随着公司单价较高的 DDR5 和LPDDR5X 产品快速放量及收入占比迅速提升，同时得益于2025 年下半年以来全球算力需求的快速增长和全球主要厂商产能调配导致的DRAM 供给紧张，公司DDR 系列和LPDDR 系列产品单价进一步显著上升。

　　毛利率方面，2023 年-2025 年，不考虑存货跌价准备转销因素，公司主要 DRAM 产品销售毛利率分别为-118.69%、-4.77%及38.75%，呈现快速上升趋势。2023 年公司毛利率水平较低，主要由于DRAM 行业2023 年上半年处于深度下行周期，尽管下半年行业开始回暖，但当年公司产品价格整体较低并对毛利率产生较大冲击。2024 年以来公司毛利率持续上升，主要系公司产品单价随着DRAM行业逐步回暖及公司产品结构优化而提升，同时公司产品的单位成本随着公司规模效应逐步显现及精益生产管理等而下降。2025 年，在DRAM 行业市场价格快速上涨的背景下，随着公司规模效应的持续显现，公司主要DRAM 产品毛利率转正并实现大幅提升。

　　2023 年-2025 年，不考虑存货跌价准备转销因素，公司综合毛利率分别为-112.71%、-4.03%及37.81%，2023 年和2024 年低于可比公司平均水平，一方面是公司与中芯国际、台积电等代工企业的经营模式不同，同时与华润微的产品类型存在较大差异;另一方面主要由于公司尚处于产能快速爬坡期，与三星电子、SK海力士、美光科技和南亚科技等DRAM 领域的IDM 公司所处发展阶段不同，公司折旧及摊销金额较大，产品生产成本较高，规模效应尚未完全显现。2025 年，随着公司规模效应持续显现及产品结构持续优化，同时得益于2025 年DRAM 产品价格大幅上涨，公司综合毛利率已转正并大幅提升，与三星电子综合毛利率基本相当，并显著高于南亚科技。从毛利率的变动趋势看，受DRAM 行业在下行周期后快速回暖和市场供需格局变化等因素的影响，公司毛利率呈现快速上升趋势，与美光科技、SK 海力士等 DRAM 领域的IDM 公司基本一致。

　　长鑫科技公司主要竞争对手为国际前三家DRAM 厂商，包括三星电子、SK 海力士以及美光科技。其中，三星电子是一家综合性电子产品的生产和销售企业，从收入结构来看，2024 财年三星电子存储产品收入占比为28%。SK 海力士和美光科技主要从事半导体存储生产及销售，主要产品包括DRAM、 NANDFlash 等，从收入结构来看，2024 财年SK 海力士DRAM、NANDFlash 及其他收入占比分别为68%、29%和3%;2024 财年美光科技DRAM、NANDFlash 及其他收入占比分别为70%、29%和1%。在产品布局与迭代方面，长鑫科技公司在产品种类和丰富度上较主要竞争对手有一定差距。公司已在占据DRAM 市场出货量90%以上的DDR、LPDDR 产品领域深度布局，但与国际前三家DRAM 厂商相比产品系列相对更少。在DDR、LPDDR系列产品方面，公司产品已迭代至当前主流的DDR5、LPDDR5/5X，与主要竞争对手基本相当。在下游应用领域方面，长鑫科技公司产品主要下游应用领域和主要客户类型上与国际竞争对手不存在实质差异。公司DDR、LPDDR 产品广泛应用于服务器、个人电脑、移动终端等领域，与主要竞争对手不存在实质差异。

　　在产能规模方面，公司产能规模已位居中国第一、全球第四，但距离国际前三家DRAM 厂商仍有一定差距。国际前三家厂商凭借自上世纪80 年代以来的长期产能扩张与整合，占市场主导地位。公司业务发展起步相对较晚，目前公司处于大规模产能建设与爬坡阶段，截至2025 年6 月末，公司产能规模已位居中国第一、全球第四，仅次于三星电子、SK 海力士和美光科技;随着公司规划产能持续建设和爬坡，未来公司产能规模将继续保持增长，并有望进一步缩小与主要竞争对手的差距。

　　1.4 公司拥有核心技术，产品受到头部客户认可

　　长鑫科技公司深耕DRAM 存储芯片的设计与制造，通过持续的研发投入与技术探索，已掌握了多项达到国际先进水平的工艺和产品核心技术，覆盖DRAM 产品设计、制造工艺、封装测试、模组设计与应用等各业务环节。截至2025 年12 月31 日，公司共拥有3 ,929 项境内专利(其中发明专利3 ,165项)以及3 ,043 项境外专利。公司核心技术主要为自主研发形成，公司研发团队通过研发与创新形成了现有核心技术平台，并已大量应用于公司产品的大批量生产中。

　　作为DRAM 产业龙头企业，经过长期发展，长鑫科技公司已与上下游合作伙伴共同构建了相互依存、共同发展的产业生态。公司在服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等各大领域积累了广泛的优质客户资源，建立了良好的品牌效应。公司与阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等行业核心客户开展了深度合作，持续赢得客户的肯定和赞誉。

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　　DRAM 是人工智能算力系统的核心枢纽，随基础设施投资而增长

　　2.1 DRAM 是全球半导体市场占比最高且增速最高的单一品类之一

　　作为数字经济时代新型信息基础设施的核心组成部分，DRAM 在现代信息社会中扮演着战略性基础设施的重要角色，是全球半导体市场占比最高的单一品类之一。根据世界半导体贸易统计协会WSTS 统计，2025 年全球集成电路市场规模为7 ,009亿美元，占半导体产业整体规模的比例约为88%，其中，全球存储芯片市场规模为2 ,300 亿美元，占集成电路市场规模的比例约为33%。根据Omdia 和WSTS数据，DRAM 是市场规模最大的存储芯片，2025 年全球DRAM 市场规模为1 ,505亿美元，占存储芯片市场规模的比例约为65%。

　　在DRAM 发展过程中，DRAM 产品类型主要分为DDR(双倍速率同步动态随机存储器)、LPDDR(低功耗双倍速率同步动态随机存储器)、GDDR(图形双倍速率同步动态随机存储器)和其他新型高端存储器等。其中，DDR 及LPDDR 产品面向广泛的下游终端应用领域，是DRAM 市场的重要组成部分。主流DRAM 以容量大、传输速率高为特点，主要应用于服务器、移动设备、个人电脑等市场领域，下游市场具有市场规模大、技术要求高的特点。

　　2.2 服务器、移动设备、个人电脑和智能汽车构成DRAM 主

　　要应用领域，服务器复合增速最快

　　根据Omdia 统计，2025 年全球DRAM 下游应用领域中，服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车市场需求占比分别约为50%、28%、13%和2%，前述四大应用市场合计占全球DRAM 下游应用需求市场的比例超过90%。服务器DRAM 有望成为DRAM 各应用领域中增长最快的市场之一。根据 Omdia 数据，2025 年全球服务器DRAM 市场占比约为50%，到2030 年服务器 DRAM 市场占比预计将增长至约71%。数据中心扩张、云计算发展对于数据处理基础设施建设的需求持续快速增长，成为服务器DRAM 市场规模扩大的核心驱动力之一。根据Omdia 预测，全球服务器搭载的DRAM 总量预计将由2025 年的约19,953 MGB 增长至2030 年的约69,340 MGB，2025-2030 年年复合增长率约为28.29%。

　　移动设备DRAM 是DRAM 核心下游应用市场之一，其中智能手机应用在移动设备DRAM 市场中占有主要份额，其余细分应用包括平板电脑等。移动设备性能提升及功能升级驱动单机内存容量增长，为移动设备DRAM 需求提供有力支撑，推动其市场规模稳健增长。根据Omdia 预测，全球移动设备搭载的DRAM2025-2030 年年复合增长率约为4.39%。个人电脑DRAM 是DRAM 第三大应用市场，主要应用包含台式机和笔记本电脑等。个人电脑的换机升级以及端侧场景的持续拓展，成为驱动个人电脑DRAM市场增长的重要因素。根据Omdia 预测，全球个人电脑搭载的DRAM 2025-2030年年复合增长率约为9.07%。

　　2.3 长鑫科技在服务器、移动设备、个人电脑等领域与国际竞争对手相比，主流产品型号均已实现量产

　　在服务器领域，长鑫科技在32GB 及以下和32GB 以上的DDR4 产品均实现量产；在DDR5 领域，长鑫科技在64GB 以下，64GB 和64GB 以上的产品均实现量产。在移动设备及其他消费电子领域，长鑫科技在LPDDR4X 方面，8GB 以下、8GB 和8GB 以上均实现量产；在LPDDR5/5X 方面，16GB 以下，16GB 和16GB 以上均实现量产。在个人电脑领域，长鑫科技在DDR4 方面，8GB 及以下和8GB 以上均实现量产；在DDR5 方面，长鑫科技实现16GB 以下，16GB 和16GB以上产品实现量产。

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　　长鑫科技研发团队行业经验丰富，聚焦先进 DRAM 产品研发

　　3.1 公司重视研发投入，募资重点投入存储器晶圆制造量产线技术升级改造、DRAM 技术升级、存储器前瞻技术研究

　　长鑫科技本次IPO 拟募集资金总额295 亿元，计划投向三大方向：存储器晶圆制造量产线技术升级改造（75 亿元）、DRAM 存储器技术升级（130 亿元）、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发（90 亿元）。

　　公司目前正在从事的主要研发项目包括第四代工艺技术平台及相关产品研发项目、第五代工艺技术平台及相关产品研发项目和预研项目及其他。其中第五代工艺技术平台及相关产品研发项目中，研发目标为采用进一步优化的多重曝光技术，进一步提升存储密度和阵列性能。

　　3.2 公司核心技术人员和高管拥有丰富的行业经验，攻坚克难助力长鑫科技实现DRAM 芯片领域从技术跟随到自主创

　　新的关键跨越

　　朱一明先生，2005 年创办兆易创新，2005 年4 月至2018 年7 月，任兆易创新总经理;2005 年4 月至今，任兆易创新董事长。2018 年7 月至2023 年4 月，先后任长鑫存储董事、董事长、首席执行官;2020 年5 月至2023 年4 月，任长鑫科技首席执行官;2021 年2 月至今，任长鑫科技董事长。

　　曹堪宇先生，博士研究生。2002 年5 月至2005 年6 月，曹堪宇先生先后曾任职于美国飞利浦半导体股份有限公司、美国Hyper bandcomm.公司;2005 年7月至2013 年8 月先后创立了北京昆天科微电子有限公司、北京凡达讯科技有限公司;2013 年11 月至2017 年10 月，任NoVoMem ,Inc.NAND 闪存事业部总经理。2017 年11 月加入发行人后，先后任睿力集成执行副总裁、长鑫存储产品研发执行副总裁、技术研发执行副总裁、长鑫集电总经理等职务;2021 年6 月至今，任发行人董事;2023 年4 月至今，先后任长鑫科技首席执行官、总裁。

　　李红文先生，1998 年9 月至2003 年3 月，先后任职于中国航空计算技术研究所第十研究室、北京高鸿信通技术有限公司、北京畅迅信通技术有限公司;2003年3 月至2017 年2 月，任美光半导体(上海)有限责任公司设计部经理。2017 年3月加入发行人，先后任长鑫科技设计总监、长鑫存储副总裁等职务;2023 年2 月至今，先后任长鑫科技副总裁、高级副总裁。

　　TAN TECK HONG(陈德鸿)先生，硕士研究生。2005 年7 月至2022 年4 月， TAN TECK HONG(陈德鸿)先生任职于新加坡美光科技。2022 年6 月加入发行人，目前担任长鑫科技工厂运营副总裁职务。

　　王丹女士，博士研究生。2010 年9 月至2018 年3 月，王丹女士于韩国三星电子担任高级工程师职务。2019 年1 月加入发行人，目前担任长鑫科技研发总监职务。

　　唐衍哲女士，博士研究生。2004 年5 月至2018 年11 月，唐衍哲女士先后任职于冠捷半导体(上海)有限公司、GLOBAL FOUNDRIES、Institute of Microelectronics/A*STAR、NXP Semiconductors 等公司;2018 年12 月至2020年11 月，任职于绿芯存储技术有限公司，担任总监职务。2020 年11 月加入长鑫科技，目前担任长鑫科技总监职务。

　　3.3 合肥国资是长鑫科技早期成长及长期发展的关键投资人，在企业亏损期给予坚定的战略定力

　　根据合肥发改委官方微信公众号显示，股权结构方面，发行前，长鑫科技第一大股东为清辉集电，持股比例为21.67%。

　　清辉集电第二大合伙人（持有清辉集电48.9%）长鑫集成实控人为合肥市国资委，由合肥产投100%持股。另外，清辉集电第一大合伙人芯睿投资（持有清辉集电51.09%）股权穿透后发现，其实控人为合肥经开区国资委。同时，长鑫集成也是长鑫科技第二大股东，持股比例为11.71%。长鑫集成持有财产份额的产投壹号和产投高成长均直接持股长鑫科技，持股比例分别为1.85%、0.06%。合肥国资的身影还出现在合肥建长身上，合肥建长实控人为合肥市国资委，其持有长鑫科技1.50%股份。

　　作为陪伴长鑫科技早期成长及长期发展的关键投资人，合肥国资的持续支持，不仅为项目初期的巨额资金需求提供了保障，更在企业经历亏损期时给予了坚定的战略定力。此外，安徽省投（实控人为安徽省国资委）对长鑫科技直接持股7.91%。大基金二期以8.73%持股位居长鑫科技第三大股东。

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　　一周科技行业要闻

　　（1）AgenticAI 刺激存储器需求扩张，预估2027 年全球存储器产值将扩大至1.28 万亿美元

　　根据Trend Force 集邦咨询最新存储器产业研究，AI 发展从大型模型训练转向以推理为核心的AgenticAI（代理式AI）应用，驱动存储器需求结构性扩张，由于供给缺口短期无法补足，推升价格上涨。因此，Trend Force 集邦咨询大幅上调全球存储器产值预估，将2026 年产值从前一版的5 ,516 亿美元提高至8 ,893 亿美元，2027 年则预计由8 ,427 亿美元上修至逾1.28 万亿美元，年增率约44%。(来源:Trend Force）

　　（2）供不应求态势激励价格成长，1Q26 全球前五大NAND Flash 品牌合计营收季增83.7%

　　根据Trend Force 集邦咨询最新NAND Flash 产业调查，2026 年第一季，全球各云端服务供应商（CSP）为满足建设AI Server 基础设施时的高速传输、大容量要求，带动Enterprise SSD 需求呈几何倍数成长。此外，因传统HDD 持续出现结构性缺货，促使大批订单转向QLC Enterprise SSD。在需求爆发、供给受限的情况下，NAND Flash 原厂平均销售单价（ASP）普遍优于预期，带动第一季前五大品牌商合计营收季增83.7%，突破389 亿美元。观察第二季，供需失衡格局不变，尽管智能手机与PC 需求因存储器价格上涨和整机价格上调而受到影响，但来自Server 端的订单将填补此一缺口。原厂普遍预期第二季NAND Flash 出货量将继续增长，议价机制也将持续支撑ASP 表现。

　　其中Samsung（三星）受惠于季度议价机制与Server 应用位元出货量跃升，带动ASP 大幅成长，以135.1 亿美元营收稳居龙头，季增幅度高达104.7%，为前五大品牌最高，市占率也从28%提升至31.6%。Trend Force 集邦咨询表示，2026 年主要NAND Flash 原厂几乎无新增产能，在AI 需求持续强劲的情况下，预期全年都将呈现供给短缺态势，而200层以上的高层数产品也将在年底成为市场的主流。此外，产能资源将持续向Server 应用倾斜，进一步推升大容量QLC Enterprise SSD 的渗透率。(来源:Trend Force）

　　风险提示

　　存储扩产进度不及预期，客户验证进度不及预期，AI 服务器发展不及预期，产品研发和技术验证不及预期，市场竞争加剧；本报告新股介绍内容不涉及证券投资研究，仅为材料梳理以供投资者方便获取信息。