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又一头部厂商实现沟槽栅SiC上车
发布时间:2025-08-22

  当前,新能源汽车主驱逆变器仍以平面栅碳化硅芯片为主流,但沟槽栅技术因其在器件性能、产出成本等方面具有理论优势,受到了不少企业的青睐。据调研发现,安森美、英飞凌、罗姆半导体、博世等头部厂商的沟槽SiC MOSFET即将或已经实现交付或量产,正不断推进合作进程,加快沟槽栅碳化硅芯片在新能源汽车主驱的量产应用。  已实现交付或量产工艺企业的沟槽 SiC MOSFET 结构图  来源:《2024碳化硅(SiC)产业调研白皮书》  安森美&舍弗勒达成合作  插混平台将采用沟槽栅芯片  今年7月,安森美在官网及业绩说明会上宣布,他们与舍弗勒扩大合作,双方签署了一项新的设计协议,舍弗勒将采用安森美半导体的沟槽栅碳化硅MOSFET产品线。  安森美半导体电源解决方案事业部总裁Simon Keeton还表示,安森美将是该项目的独家碳化硅供应商。具体来看,安森美的解决方案将为舍弗勒牵引逆变器提供助力,该逆变器将用于舍弗勒的高端插电式混合动力汽车(PHEV)平台。  值得关注的是,去年9月,安森美电源方案事业群资深产品专家 Mrinal Das博士在业绩交流会上透露,他们最新一代EliteSiC MOSFET技术平台为M3e,采用的是平面栅技术,但从第四代开始他们将全面转向沟槽栅SiC MOSFET。  据“行家说三代半”了解,安森美前三代EliteSiC MOSFET平台:M1、M2、M3T/M3S/M3E都是采用平面栅技术,主要的技术变化在于元胞间距进一步缩小,M3E的元胞长度相比M1平台缩小了65%,其导通损耗降低了30%,关断损耗降低高达50%,并且输出功率约能提升20%。  安森美:今年SiC营收翻倍增长,未来6年推出多代沟槽MOSFET  据此来看,安森美的平面栅技术已实现了较大提升。那么,他们为何还要还要转向沟槽栅技术?对此,Mrinal Das博士也作出一定解释。  他认为,M3E已经是平面MOSFET的极限,如果要进一步提升,只能采用沟槽技术。安森美希望通过SiC MOSFET芯片技术的创新来降低成本,例如M3e平台可以进一步地降低产品的成本,因为它能进一步地优化碳化硅单位面积上的功率产出,或者增加单片晶圆的芯片产出数量查,采用沟槽栅技术亦是同理。  安森美:今年SiC营收翻倍增长,未来6年推出多代沟槽MOSFET  图片加入碳化硅大佬群,请加微信:hangjiashuo999  英飞凌、罗姆、博世等:  已实现沟槽栅SiC上车应用  据“行家说三代半”调研发现,除了安森美和舍弗勒外,英飞凌、罗姆、博世、日本电装等企业的沟槽栅 SiC MOSFET 已经实现商业化量产,并且实现了在汽车主驱逆变器中的应用:  据英飞凌官网透露,他们为小米SU7 Max版供应两颗1200V HybridPACK Drive G2 CoolSiC模块,搭载的是沟槽栅SiC MOSFET,并将为小米Su7供应碳化硅模块及芯片产品至2027年。  今年6月,英飞凌科技汽车业务动力与新能源系统业务单元高级首席工程师赵振波在接受媒体采访时还透露,韩国某汽车公司已成为英飞凌SiC沟槽型超结(TSJ)技术的首批客户之一,他们将充分利用这项技术的优势提升其电动汽车产品性能。  据了解,罗姆半导体一直坚持沟槽栅SiC MOSFET技术路线,目前已经跟吉利汽车、极氪汽车、奇瑞汽车、长城汽车、丰田汽车、GLM、联合汽车电子、纬湃科技等车企与Tier 1厂商达成合作,批量应用在主驱逆变器等领域。  据博世官方透露,他们采用的是双通道沟槽MOSFET技术,成为小米汽车重要的零部件供应商之一。据悉,小米SU7单电机版400V电压平台搭载了联合汽车电子的电桥,其应用了博世第二代750V,6.4毫欧的碳化硅芯片产品。  2023年,电装开发出首个搭载了沟槽栅SiC技术的逆变器,并且该SiC逆变器已被BluE Nexus公司开发的eAxle电动驱动模块所采用;BluE Nexus的eAxle作为后电驱单元已经应用在雷克萨斯首款纯电动汽车全新RZ上  值得关注的是,比亚迪半导体、芯聚能半导体、基本半导体、扬杰科技、华太电子、华为、格力、富士电机等企业也在布局沟槽栅碳化硅技术,未来依托产业链上下游企业的持续发力,沟槽栅工艺技术将会实现进一步发展及应用。  图片  图片  插播:天科合达、天岳先进、同光半导体、烁科晶体、泰坦未来、浙江晶瑞、芯聚能、三安半导体、安海半导体、华卓精科、快克芯装备、合盛新材料、京航特碳、恒普技术、奥亿达新材料、创锐光谱、西湖仪器、北方华创、科友半导体、九域半导体、凌锐半导体、中电化合物、昕感科技、羿变电气、东尼电子、西格玛、铭扬半导体、瑞霏光电、力冠微、格力电子、芯研科等已确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮》,参编咨询请联系许若冰(hangjiashuo999)。  图片  本文发自【行家说三代半】,专注第三代半导体(碳化硅和氮化镓)行业观察。  其他人都在看:  天岳先进:港股敲锣上市长安深蓝&斯达:SiC项目投产,产能达180万片SiC模块新技术,PC寿命可达10万小时

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